邦得凌Brthrper-NP-900系列负型光刻胶

Brthrper-NP-900系列负型光刻胶

一种丙烯酸共聚物树脂型、近紫外线曝光的负型光刻胶

应用领域：

用于制造超厚（50-200um）和中厚（10-50um）MEMS微结构，以及普通膜厚（0.3-10u）的各种挖洞、字符等型貌的光刻线条；适合i、G线，X-Ray，E-beam曝光

深圳市邦得凌触控显示技术有限公司的Brthrper-NP-900系列负型光刻胶是一种丙烯酸共聚物树脂型、近紫外线曝光的光刻胶。

分别适用于制造超厚（50-200um）和中厚（10-50um）MEMS微结构，以及普通膜（0.3-10um）的各种挖洞、字符等型貌的光刻线条；适合i、G线，X-Ray，E-beam曝光。

具有好的热稳定性、抗刻蚀性、高分辨率、高深宽等特点。对近紫外350~400nm波段曝光为敏感。即使在非常厚的光刻胶曝光情况下，曝光均匀一致，可得到具有Profile垂直侧壁和的厚膜图形。

Brthrper-NP-900系列负型光刻胶的特性

1）厚度范围，单层涂胶厚度为 0.3um to 200 um

2）50um以上厚度光刻图型高深宽比可达：10:1

3）适用于旋涂工艺涂布，比自流平式后膜光刻胶工艺制程效率更高；

4）表面平整度高，50-100um膜厚在8吋晶元面积平均膜厚误差≤5%

5）可靠性高，后烘坚膜后可作为芯片倒封装以及chiplet封装支撑胶

应用：MEMS，激光芯片，钝化层应用LED微流倒封装以及光传感器干法蚀刻制作  

其中，Brthrper-NP-901A用于制作0.3-10um厚度图型：

Brthrper-NP-931A用于制作10-50um厚度图型：

Brthrper-NP-901A光刻工艺参数推荐：

1.涂胶 500-1500rpm/10s

2.前烘 90℃/4min

3.曝光 150mj/cm2     

4.显影 60s/27-30℃；显影液：1：99/AMPHBAL2001

5.后烘 120－200℃/30-60min

Brthrper-NP-931A光刻工艺参数推荐：

1.涂胶 800-3000rpm/10s

2.前烘 110℃/4min

3.曝光 200mj/cm2     

4.显影 120s/27-30℃；显影液：1：99/AMPHBAL2001

5.后烘 180－230℃/30-60min

Brthrper-NP-951A光刻工艺参数推荐：

1.涂胶 3000-5000rpm/10s

2.前烘 110℃/4min

3.曝光 200mj/cm2     

4.显影 150-180s/27-30℃；显影液：1：99/AMPHBAL2001

5.后烘 200－230℃/30-60min

成膜物化参数

三、包装及贮存

包装：3.8L洁净加仑桶，加不透光包装袋

贮存：密封后于0-5摄氏度保存；贮运中避免日晒、雨淋、泄露

保质期：3个月 

四、售后与服务

如接到使用方技术服务请求后48小时内，将用电话、传真、E-mail提供解决方案或派人前往协助解决。

公司地址：深圳市南山区科技园南区高新技术产业园区W1-A座4层A-06